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國產SRAM芯片
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國產SRAM芯片

XRAM是一款基于TLC DRAM(三態(tài) DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)
專利技術而成的新型X型隨機存儲器,可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM,
相對比DRAM產品在數據讀取速率約快10倍以上,
延時速度10ns,可提供千兆級容量存儲,
可隨時訪問速度不需要刷新機制,在性能上接近于SRAM產品,
并提供SRAM接口便于應用設計。
國產SRAM/XRAMXM6A系列產品采用DRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術,支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制,與SRAM接口應用類似,并提供BGA144和BGA96兩種封裝,容量從144Mb到36Mb,工作電壓范圍在1.5~1.8V,可滿足各種高速度、低延時、高可靠性的應用。 我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。
容量 型號 位寬(bit) 電壓 接口 速度(MHz) 封裝 Status PDF
144Mb XM8A04M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
144Mb XM8A08M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
72Mb XM6A02M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
72Mb XM8A04M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
36Mb XM6A01M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
36Mb XM8A02M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 聯(lián)系我們
 
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