存儲器是現代信息系統的關鍵組件之一，由DRAM與Nand Flash所主導的主導的存儲市場規模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升，滿足市場對速度和容量的需求，打破“存儲墻”的限制，業界開始試圖突破馮諾依曼架構，由此新興存儲技術走進了市場的視線范圍內。
 
MRAM、RRAM和PCRAM被行業視為是新興的三大存儲技術。這些技術的出現不僅引起了老牌存儲廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進之下，近些年來新興存儲技術也開始逐漸步入商業化階段。在這個過程中，新興存儲技術又為存儲市場又迎來了新一輪的變革。
 
由于相較于DRAM，PCRAM能夠提供更低的功耗和成本，并且比固態硬盤和硬盤驅動器具有更高的性能。由此也引起了一些廠商的注意。
 
另一值得注意的是MRAM的發展。行業認為，MRAM除了其具備更好的儲存效能外，更重要的是，現今的處理器(CPU)制程不停朝微縮化邁進，以因應高速運算需求。因此MRAM獲得了很多廠商的關注，在這個過程當中也產生了一些變體，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的發展過程當中，臺積電、三星和Everspin等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業視為是內存市場的一次巨大轉變。
 
雖然MRAM技術被業界所看好，但從商業化推進上看，其在發展的道路仍充滿挑戰。由此或許我們可以將之理解成為，在MRAM推進商業化的過程當中，市場也會對相關企業進行一次大浪淘沙。

關鍵詞：NOR Flash