ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位寬為512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
IS62WV51216ALL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的44引腳TSOP（TYPE II）中。IS62WV51216的管腳總的來(lái)說(shuō)大致分為：電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫(xiě)使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)線。
 
特征
•高速訪問(wèn)時(shí)間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運(yùn)行
–36mW（典型值）運(yùn)行
–12µW（典型值）CMOS待機(jī)
•TTL兼容接口級(jí)別
•單電源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全靜態(tài)操作：無(wú)時(shí)鐘或刷新需要
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•可提供工業(yè)溫度
•無(wú)鉛