三星已經開始批量生產其大概為236層的3D NAND存儲器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當與高級控制器結合使用時，它們可以實現傳輸速度超過12GBps的客戶端級SSD。
 
新的第8代V-NAND設備具有1Tb容量（128GB），三星稱其為業界最高的位密度，但沒有透露IC的尺寸或實際密度。該IC還具有2400MTps的數據傳輸速率，這對于配備PCIe5.0x4接口的最佳SSD至關重要，一旦與適當的控制器配對，將提供驚人的12.4GBps（或更高）。
 
與現有相同容量的閃存IC相比，其新一代3D NAND存儲器的每晶圓生產率將提高20%，這降低了公司的成本（在良率相同的情況下），這可能意味著更便宜的SSD。
 
隨著市場對更密集、更大容量的存儲需求推動更高的V-NAND層數，三星采用其先進的3D縮放技術來減少表面積和高度，同時避免通常在按比例縮小時發生的單元間干擾。第八代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，能夠更好地提供更多差異化的產品和解決方案，這將是未來存儲創新的基礎。

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