長江存儲要用5年追趕世界水平

來源：日期：2018-05-07 16:45:39

一鍵分享

國家存儲器基地項目芯片生產機臺近日正式進場安裝，這象征著國家存儲器基地從廠房建設階段進入到量產準備階段。據了解，設備搬入和調試需要3個月左右的時間，然后就進行小規模試產，如果一切順利的話，今年四季度，中國第一批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片有望實現量產。

9個月建設工廠，7個月機臺搬入，建設節點不斷提前完成。按照計劃，今年四季度，設備有望點亮投產。紫光集團負責人透露，今年將量產的產品是去年成功研發的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆歷時2年、耗資10億美元、由1000人團隊自主研發的芯片，獲得了中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國擠進全球存儲芯片第一梯隊，強力提升“中國芯”的國際市場地位。

目前，全球存儲器芯片技術主要掌握在韓、日、美等國企業手中，屬于相對壟斷市場。　　根據調查數據顯示，2017年全球閃存芯片銷量超過500億美元，同比增加45%，預計2020年銷量超過1000億美元。中國市場進口超過半數，國產的存儲芯片基本上是空白。隨著全球市場需求量的不斷增加，近3年來，全球存儲芯片的價格不斷上漲。

紫光集團表示，“前五年追趕技術，后五年增加產量”。目前長江存儲完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發，也將投入量產，但產量和成本還不足以影響市場。“后發優勢是不會走太多冤枉路，速度更快一點，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時間”，高啟全說，64層閃存產品研發也在迅速進行，力爭2019年底實現產能爬坡量產，這樣，就能把與全球領先大廠的差距縮短在2年以內，“希望用5年左右接近世界先進水平”。

關鍵詞：NAND閃存

上一篇：美光致力于制造3D NAND閃存

免费a片视频_国产麻豆剧传媒精品国产AV_国产无遮挡18禁网站免费_久久综合九九综合欧美98_激情亚洲精品狠狠操

長江存儲要用5年追趕世界水平