兆易創(chuàng)新年底將試產 19 納米 DRAM

來源： 日期：2018-05-29 14:54:06

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據了解，存儲器廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）與合肥長鑫合作生產的第 1 顆國產DRAM，將使用 19 納米制程技術，預計在 2018 年下半年開始試產，將來量產后的總產能可達全球 DRAM 產能 8%。

 

2017 年 10 月，兆易創(chuàng)新宣布斥巨資進軍 DRAM 市場，資金高達人民幣 180 億元，與合肥市產業(yè)投資控股有限公司合作，主要目標是研發(fā) 19 納米制程的 DRAM 存儲器，計劃在 2018 年底前研發(fā)成功。關于研發(fā)成功的標準就是達成產品良率不低于 10% 的水準。

 

另外，關于合肥長鑫 12 寸存儲器晶圓制造基地計劃，其中的 300 臺研發(fā)設備已全部到位，營運及研發(fā)團隊全部到位，預計在 2018 年下半年將投片試產。合肥長鑫有望在今年內造出第一顆中國本土生產的 19 納米制程 DRAM 存儲器，也就是與兆易創(chuàng)新合作的那個 19 納米制程存儲器。

 

事實上，目前全球 DRAM 三大廠，包括三星、美光、SK Hynix 都早已經完成了 20 納米制程的 DRAM 芯片的研發(fā)，三星還夠將主力制程進一步推進至新一代的 18 納米制程上。因此，合肥長鑫的 19 納米存儲器一旦能夠生產，將是目前除了三大廠之外，最為先進的制程。

 

合肥長鑫的 DRAM 計劃投資金額超過 72 億美元，預計建設三期工程。目前建設的是一期工程 12 寸晶圓廠，建成之后預計月產能為 12.5 萬片。預計這個產量將達到全球 DRAM 存儲器產能的 8%。

 

關于合肥長鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲器生產計劃，最關鍵的部分在于良率上，因為目前合肥長鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲器良率還是很低，雖然研發(fā)目標是不低于 10%，但即使是這個水準，還是不可能進行進一步的量產。所以，要完全解決良率的問題可能還需要幾年的時間。 

關鍵詞：DRAM

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