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各種異步SRAM比較

來源: 日期:2020-03-06 10:04:14

那些不具備時鐘輸入的sram便是異步型的。在這些器件中,讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動。采用異步型sram最大的優(yōu)點之一是它們擁有長達(dá)幾十年的使用歷史并已為人們所充分了解。由于異步型sram已經(jīng)面市很久了,因此許多標(biāo)準(zhǔn)處理器都包含了業(yè)已配備異步型sram接口的存儲控制器,從而最大限度地減少了所需的設(shè)計工作量。異步SRAM的典型存取時間為8ns(或更長)。因此,它們一般應(yīng)用于時鐘頻率為100mhz(或更低)的系統(tǒng)中。
 
異步型sram可被進(jìn)一步劃分為兩種主要類別:即快速異步型sram和低功耗異步型sram(mobltm)。
 
1:快速異步型sram存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型sram。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中,且功耗較高(1/2w或更高是司空見慣的)。其典型應(yīng)用包括老式pcl2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲器。
 
2:mobltm低功耗異步型sram有些應(yīng)用(例如移動電話)對功耗的關(guān)注程度要超過對性能的關(guān)注程度。因此,制造商(比如賽普拉斯公司)推出了功耗極低的sram系列。賽普拉斯的mobl(意指“更長的電池使用壽命”)低功耗異步型sram產(chǎn)品庫匯集了多款典型存取時間約為40ns(或更長)并專為實現(xiàn)低功耗而優(yōu)化的器件。典型待機(jī)功耗可低至10μw(或更低),而運(yùn)行功耗則可低至30mw(或更低)。這些器件的存儲密度各異,從64kb到16mb一應(yīng)俱全。


VTI異步SRAM型號表
型號 容量 位寬 溫度 電壓(V) 速度(ns) 封裝
VTI501LF08WM 1Mbit 128K x 8 Industrial 1.8 8/10/12 32sTSOP1
VTI501LF08NM 1Mbit 128K x 8 Industrial 1.8 8/10/12 36BGA
VTI501NF08WM 1Mbit 128K x 8 Industrial 3.3 8/10 32sTSOP1
VTI501NF08NM 1Mbit 128K x 8 Industrial 3.3 8/10 36BGA
VTI501HF08WM 1Mbit 128K x 8 Industrial 5 10 32sTSOP1
VTI501HF08NM 1Mbit 128K x 8 Industrial 5 10 36BGA
VTI501LF16VM 1Mbit 64K x 16 Industrial 1.8 8/10/12 44TSOP2
VTI501LF16LM 1Mbit 64K x 16 Industrial 1.8 8/10/12 48BGA
VTI501NF16VM 1Mbit 64K x 16 Industrial 3.3 8/10 44TSOP2
VTI501NF16LM 1Mbit 64K x 16 Industrial 3.3 8/10 48BGA
VTI501HF16VM 1Mbit 64K x 16 Industrial 5 10 44TSOP2
VTI501HF16LM 1Mbit 64K x 16 Industrial 5 10 48BGA


關(guān)鍵詞:異步SRAM
 
 
 
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