ISSI為汽車，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設計。其主要產品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存儲器。還設計和銷售NOR閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。為關鍵市場開發(fā)精選的非內存產品。為了增加產品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專業(yè)知識相輔相成的產品。其中旗下的IS62WV102416AL在市場上深受各汽車,工業(yè)行業(yè)的喜愛。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術指導.
 
描述
ISSI IS62WV102416ALL是高速的16M位靜態(tài)RAM，組織為1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技術所制造出來的。這種可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術就可生產出高性能和低功耗的設備。
 
當CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平，CS2為高電平且LB和UBare均為高電平時，器件將處于待機模式，在待機模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。該器件采用的是JEDEC標準的48引腳TSOP I型和48引腳Mini BGA（9mm x 11mm）的封裝形式。
 
1Mx16低功耗引腳配置
48針迷你BGA（9mmx11mm）

 
48引腳TSOP-I（12mm x 20mm）
   
特征
•高速訪問時間：
 25、35 ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳，增強了抗噪能力
•通過CS1和OE選項輕松擴展內存
•CS1掉電
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•單電源
Vdd 1.65V至2.2V（IS62WV102416ALL）
Vdd 1.65V至2.2V的速度= 35ns
Vdd 2.4V至3.6V（IS62 / 65WV102416BLL）
Vdd 2.4V至3.6V的速度= 25ns
•可用軟件包：
– 48球miniBGA（9mm x 11mm）
– 48引腳TSOP（I型）
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制


 ISSI IS62WV102416ALL系列

型號	容量	位寬	電壓	速度（ns）	封裝
IS62WV102416ALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)
IS62WV102416DALL/BLL	16Mb	1Mx16/2Mx8	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)
IS62WV102416EALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)

 
 
關鍵詞：IS62WV102416ALL  SRAM