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高可靠性的cypress異步SRAM

來源: 日期:2020-08-18 10:14:43

Cypress半導體公司生產高性能SRAM產品,用于數據傳輸、遠程通訊、PC和軍用系統。異步快速存儲器芯片簡稱為:AsyncSRAM,速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V,可以滿足大部分應用的電壓設計。Cypress代理宇芯電子本篇文章將介紹具有高可靠性的cypress異步SRAM產品。
 
憑借可滿足各種高可靠性工業,通信,數據處理,醫療,消費和軍事應用的性能,快速和微功耗,SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無需投資PCB重新設計就可以提高系統可靠性。
 
 
具有ECC框圖的快速SRAM
 
 
高可靠性:軟錯誤率<0.1FIT/Mbit
ERR引腳指示單位錯誤
密度選項:4Mbit,8Mbit,16Mbit
快速訪問時間:10ns(FAST)
超低待機電流:8.7μA(4MbitMoBL®)
總線寬度配置:x8,x16和x32
寬工作電壓范圍:1.8-5.0V
工業和汽車溫度等級
 
PowerSnooze™
 
 
具有PowerSnooze框圖的快速SRAM
 
賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商,該器件系列將快速異步SRAM的訪問時間與獨特的超低功耗睡眠模式(Power Snooze™)相結合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了異步SRAM應用中性能與功耗之間的折衷。在這個新的設備系列中,通過提供一種稱為Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式,可以實現現有產品系列的最佳功能。Power Snooze是標準異步SRAM操作模式(活動,待機和數據保留)的附加操作模式。深度睡眠引腳(DS#)使器件可以在高性能活動模式和超低功耗Power Snooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時,
 
異步SRAM技術增強

糾錯碼(ECC)
 
賽普拉斯最新一代的異步SRAM器件使用(38,32)漢明碼ECC進行單位錯誤檢測和糾正。賽普拉斯超可靠異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執行所有與ECC相關的功能,而無需用戶干預。
 
多位交織
 
高能量的地外輻射會翻轉多個相鄰位,從而導致多位錯誤。糾錯碼的單比特錯誤檢測和糾正功能通過比特交織方案進行了補充,以防止出現多比特錯誤。
 
這些功能加在一起,可以顯著改善軟錯誤率(SER)性能,從而導致業界領先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。
 
 
 關鍵詞:異步SRAM    SRAM
 
 
 
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