ISSI IS61WV6416EEBLL是一種高速異步SRAM芯片，組織為64KX16位。采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，產生了高性能和低功耗的設備。當CE為高電平（取消選擇）時，器件進入待機模式，在該模式下，功耗可以通過CMOS輸入電平降低。
 
通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴展內存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節(UB)和低字節(LB)訪問。IS61WV6416EEBLL采用JEDEC標準44-pinTSOP-II封裝。
 
IS61WV6416EEBLL特征
•高速訪問時間：8、10ns
•低有功功率：85mW（典型值）
•低待機功耗：7mW（典型）CMOS待機
•單電源
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•高字節和低字節的數據控制
•工業和汽車溫度支持
•無鉛可用
•錯誤檢測和錯誤糾正
 
關于ISSI
ISSI是為下列主要市場設計開發和銷售高性能集成電路的技術領袖：汽車、通信、數字消費、工業/醫療。高速、低功耗SRAM和中低密度DRAM是該公司的主打產品。該公司還設計銷售 NOR 閃存產品、高性能模擬和混合信號集成電路。該公司面向高增長市場提供低成本、高質量的半導體產品，并尋求與客戶建立長期合作關系。長期以來，該公司一直是存儲器產品（包含較低密度和較小批量產品）的可靠供應商，即使在產能緊張的時期亦是如此。

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