ISSI IS61WV6416DBLL是一款位寬為64Kx16的異步SRAM芯片存儲器，采用ISSI的高性能CMOS技術制造。,這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，產生了高性能和低功耗的設備。當CE為高電平（取消選擇）時，器件進入待機模式，在該模式下，功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴展內存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節(UB)和低字節(LB)訪問。IS61WV6416DBLL采用JEDEC標準44針TSOPTypeII、44針400-milSOJ和48針迷你BGA(6mmx8mm)封裝。
 
特征
高速：IS61WV6416DBLL
•高速訪問時間：8、10、12、20ns
•低有功功率：135mW（典型值）
•低待機功耗：12µW（典型值）
CMOS待機
•單電源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•高字節和低字節的數據控制
•工業和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
ISSI主要是為汽車，通信，數字消費，以及工業和醫療市場設計和開發和銷售高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設計和銷售 NOR 閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。ISSI代理宇芯電子可提供樣品測試及技術支持。

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