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國產16Mbit異步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I

來源: 日期:2022-02-23 10:53:11

安徽偉凌創芯是以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場,專用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整體解決方案,提供創新、高品質、高性價比、供貨持續穩定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發難度,縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
 
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速SRAM芯片,位寬8*1M字位。該器件采用先進的CMOS工藝和基于6-TR的單元技術制造,專為高速電路技術而設計。它特別適用于高密度高速系統應用。
 
EMI516NF16LM-10I使用8條公共輸入和輸出線,并具有一個輸出使能引腳,其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。封裝采用48FBGA。
 
EMI516NF16LM-10I芯片的快速訪問時間為10ns,CMOS低功耗待機最大值為35mA,(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)電壓3.3V,TTL兼容輸入和輸出,完全靜態操作,無需時鐘或刷新,三態輸出,標準48FBGA封裝類型,符合ROHS,符合工業溫度。
 
快速異步型SRAM的存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。
 
 EMI516系列型號
Part Number Density Org. VCC tAA(ns) Temp. Package
EMI516LF08LM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 1.8 15 -40~85°C 48 FBGA
EMI516NF08LM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 3.3 10 -40~85°C 48 FBGA
EMI516HF08LM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 5 10 -40~85°C 48 FBGA
EMI516LF08VM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 1.8 15 -40~85°C 44 TSOP2
EMI516NF08VM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 3.3 10 -40~85°C 44 TSOP2
EMI516HF08VM-10I 16Mbit 2Mbx8bit 5 10 -40~85°C 44 TSOP2
EMI516HF16LM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 5 10 -40~85°C 48 FBGA
EMI516LF16LM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 1.8 15 -40~85°C 48 FBGA
EMI516NF16LM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 3.3 10 -40~85°C 48 FBGA
EMI516NF16TM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 3.3 10 -40~85°C 48 TSOP1
EMI516LF16TM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 1.8 15 -40~85°C 48 TSOP1
EMI516HF16TM-10I 16Mbit 1Mbx16bit 5 10 -40~85°C 48 TSOP1
 
關鍵詞:SRAM芯片,EMI516NF16LM-10I,SRAM

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