ISSI用0.25微米工藝技術生產最新進的pSRAM產品，產品都是由代工服務商代為生產，以下產品為PSRAM存儲芯片，屬于偽靜態隨機存儲器芯片，內部為DRAM核心外加SRAM接口，產品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品?？杉嫒萏鎿QISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產品。| 型號 | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 速度(ns) | 封裝(Pins) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66WVC4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVC4M16EALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVC4M16ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66WVD4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WVC2M16EALL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVC2M16ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WV1M16EBLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | mBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WVC1M16EALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66WVD1M16ALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯系我們 |
| IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WV51216EBLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V | 70 | TSOP2(44),mBGA(48) | 聯系我們 |
| IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯系我們 |
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